1、負責GaN芯片或半導體化合物專案計劃、設計圖型、產品專案跟蹤。
2、負責GaN制程研發工藝調試和優化；
3、負責工藝成本的降低,品質提升,；
4、負責材料研究評估與導入。
1.碩士及以上學歷，材料、物理、半導體、微電子等相關專業；
2.具有III-V族、Si、SiC制程及研發經驗，了解半導體工藝流程;
3.具備一定的學習能力和自我管理能力，可獨立完成交代任務；
4.工作主動負責、態度積極、良好溝通能力、注重團隊合作精神。
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帶薪假期
定期培訓
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年終獎
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江蘇能華微電子科技發展有限公司由海外歸國高科技人才創辦于2010年，核心技術團隊包括從外延生長、器件設計、工藝制程、封裝測試到應用模塊各個環節的專家，是一家專業設計、生產和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件的高新技術企業。
作為行業領先的以氮化鎵功率器件為主的IDM公司，目前公司的產品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。并且能華半導體是全球少數同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN直驅方案的半導體公司。
功率器件、半導體器件、電子元件、晶圓的研發、制造、銷售；自營和代理各類商品及技術的進出口業務。（依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動）
公司全稱：江蘇能華微電子科技發展有限公司
注冊資本：11144萬元人民幣
法人代表：朱廷剛
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0512-88830088-8011
地址：張家港市楊舍鎮福新路2號國家再制造基地B12
郵箱：HR@corenergy.com
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